通过固相反应法制备ZnO压敏陶瓷,测试了ZnO压敏陶瓷的介电频率温度谱,通过介电谱详细解析了ZnO压敏陶瓷弛豫损耗峰的起源。然后通过调节工艺参数,拟合不同保温温度下ZnO压敏陶瓷的介电弛豫过程,得到了介电弛豫的过程参数,解释了氧空位和锌填隙浓度对弛豫峰的影响,为ZnO压敏陶瓷电气性能的优化提供了理论依据。 2018年第5期ZnO压敏陶瓷的介电谱研究(总第285期)度减小。以上现象出现的原因是:保温温度上升，ZnO陶瓷中氧空位浓度明显增多，锌填隙却减小，因此低频峰强度加强，高频峰强度减弱。(a)1100℃(b)1160℃图3不同保温温度下ZnO压敏陶瓷介电谱的分峰拟合图样品高频峰εs－ε∞α低频峰ε1)通过介电谱详细解析了ZnO压敏陶瓷弛豫损耗峰的起源，α损耗峰活化能约为0．22eV，起源一价锌填隙电离;β损耗峰活化能约为0．35eV，起源氧空位对电子捕获和发射的弛豫过程。2)拟合不同保温温度下ZnO压敏陶瓷的介电弛豫过程， 本文由公司网站滚圆机网站 转摘采集转载中国知网整理!   http://www.dapengkuoguanji.com/ 得到了介电弛豫的过程参数陶瓷的介电谱研究-电动折弯机数控滚圆机滚弧机张家港钢管滚圆机滚弧机，说明了保温温度升高后，ZnO陶瓷中氧空位浓度增多，锌填隙减小，β峰强度加强，α峰强度减弱每隔20℃测试一次介电频谱。笔者所用介电谱测试仪器为德国Novocontorl公司生产的宽频介电谱仪陶瓷的介电谱研究-电动折弯机数控滚圆机滚弧机张家港钢管滚圆机滚弧机，具有非常高的精度。可以在－160～500℃温度范围、10－6Hz～2GHz的频率范围条件下测得试样的介电常数、电导率、电容率、复阻抗、模量M等十几个参数。2介电谱测试原理当直流偏压为零时，在样品两端施加大小为1V的交流小电压，由于样品存在能量损耗，电压和电流之间存在相位差，所以样品可等效为一个电阻和一个电容的并联，其等效电路图和相量图见图1。图1ZnO压敏陶瓷的等效电路图和相量图据电路原理样品的导纳为Y*=G+jωCP=jω(CPC0－jGωC0)C0(1)样品的复介电常数为中:t为样品的厚度;S为样品的面积;G为样品的等效电导;Cp为样品的等效电容。根据电介质理论［7］，G和Cp是样品微观过程的宏观等效，G表示样品的全部有功损耗的等效电导，包括直流电导和松弛极化损耗的等效电导;Cp由样品的位移极化和松弛极化两部分贡献。因此有:γ是直流电导率;g是松弛极化损耗的等效电导率。那么介质的损耗角正切值为tanδ=ε'ε陶瓷的介电谱研究-电动折弯机数控滚圆机滚弧机张家港钢管滚圆机滚弧机 本文由公司网站滚圆机网站 转摘采集转载中国知网整理!   http://www.dapengkuoguanji.com/