针对单晶硅(100)晶面在氢氧化钾(KOH)腐蚀液中各向异性腐蚀时的削角问题,进行了一项凸角补偿实验。通过不同尺寸与形状组合的〈110〉条形补偿结构,对长方形凸台进行补偿,最终获取具有期望效果的补偿结构。该方法应用于压力传感器芯片的过载保护结构设计。 2所示。aaa/2a/2需补偿凸角图2正方形补偿结构正方形补偿结构具有补偿图形简单、尺寸计算简便等优点，但补偿图形需占据凸角附近较大的区域，比较适合相对孤立的凸角补偿。而在凸台加工时，需要同时针对相邻的4个凸角进行补偿，大大增加了芯片的尺寸。采用正方形补偿结构进行凸角补偿的实例如图3所示 本文由公司网站滚圆机网站 转摘采集转载中国知网整理!   http://www.dapengkuoguanji.com/ ，图中所示为凸角补偿腐蚀掩模板以及实际补偿加工样件凸角补偿方法-数控滚圆机滚弧机折弯机张家港液压滚圆机滚弧机折弯机。(a)%方形补偿掩模板(b)%腐蚀后补偿效果图3正方形补偿结构示例2凸角补偿方案设计在一种具有过载保护结构的E型压阻式压力传感器芯片研制过程中，拟采用长方形结构的凸台保护结构，芯片结构设计如图4所示。AA′过载保护结构敏感电阻带孔玻璃(a)%正面俯视图(b)%A-A′剖面图图4E型压力传感器芯片结构由于长方形台面短边上的两个凸角过于接近，不适合采用上述正方形补偿方案，因此本文参考长条形补偿结构方案［6］进行凸角补偿方案设计，方案设计前提条件如下:1)压力芯片衬底硅的厚度为525μm，敏感膜的设计厚度为30μm，则目标腐蚀深度H为495μm;2)KOH腐蚀液浓度为40%，〈410〉晶向前沿的腐蚀速率与〈100〉晶向的腐蚀速率之比采用典型值2．7，则所需有效补偿图形长度约为1337μm;3)补偿图形的条宽设计为100μm，满足0．2～0．4H的要求;4)确保补偿图形之间以及补偿图形与边框之间不出现V型尖底。在上述条件的约束下，设计了有效补偿长度为1233～1437μm的九种补偿图形，理论上可满足腐蚀深度为455～532μm的凸角补偿，设计方案如图5所示。在压阻式压力?凸角补偿方法-数控滚圆机滚弧机折弯机张家港液压滚圆机滚弧机折弯机 本文由公司网站滚圆机网站 转摘采集转载中国知网整理!   http://www.dapengkuoguanji.com/